蘇州東微半導體ORIENTAL
高壓GreenMOS系列
為適應電源系統高效率小型化的需求，東微半導體推出了新型的GreenMOS系列高壓MOSFET, 採用獨特專利器件結構和製造工藝，GreenMOS產品具有比常规MOSFET更快的開關速度及更柔和的開關曲線，在獲得極低的動態損耗的同時大限度抑制了開關震蕩，不僅可以大大提高系統效率、降低發熱量，還可以簡化系統EMI设计。GreenMOS系列產品涵蓋500V-900V全系列，提供高達100A靜態電流的規格，高工作頻率達到2MHz以上，可以滿足各種電源系統的需求。基於其高效率、低溫升的特點，特別適用於快速充電器、LED電源、通訊、伺服器電源、電動車充電樁等系統。
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Generic通用系列
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Generic系列產品包含500V~900V全系列，具有低導通電阻、低柵極電荷、靜態和動態損耗低的特點，可廣泛應用於各種高性能功率轉換領域。
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S系列(EMI优化)
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S系列產品在Generic系列產品的基礫上優化了開關速度，以較低的開關速度達到更好的EMI相容性，特別適用於小功率電源系統如LED照明、充電器、適配器等領域。
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E系列(EMI平衡)
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E系列產品綜合了Generic系列產品和S系列產品的特性，達到了開關速度和EMI的平衡，特別適用於TV電源、工業電源等領域。
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Z系列(快恢复)
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Z系列產品中集成了快恢復體二極體（FRD），具有快速的反向恢復速度，開關損耗極低並具有很高的可靠性，特別適用於各種半橋、全橋拓撲電路、馬達驅動、充電樁等領域。
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超级硅系列(SuperSi)
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SuperSi系列產品特別優化了開關速度，具有極低的品質因數（FOM），同時具有比肩氮化鎵功率MOSFET的開關速度，特別適用於高密度電源系統，如PD充電器、模組轉換器、大螢幕電視、顯示器等領域。
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中低压SGTMOS系列
東微的SFGMOS系列MOSFET產品採用半浮柵結構，兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優點，並具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優點。SFGMOS系列MOSFET產品涵蓋20V~200V全系列，可廣泛應用於電機驅動、同步整流等領域中。
IGBT
東微推出高速系列、低Vcesat系列、RC系列等IGBT產品，涵蓋600V~1700V電壓，可廣泛應用於白色家電、新能源逆變器、汽車驅動等領域。
SiC devices
第三代半導體材料功率器件是未來高性能功率器件的重要組成部分之一。東微研發團隊在寬禁帶半導體研究上有豐富的經驗，相繼研發了並聯SiC的IGBT及寬禁帶場效應晶體管。
目前量產的並聯SiC二極管的新一代高速IGBT，大幅改善了Eon、trr、 Qrr和Qg等特性，適合在追求極限效率的系統中使用，支援80-100kHz的高速開關和圖騰柱無橋PFC應用。
Hybrid-FET
Hybrid-FET器件採用全新的器件結構和電流動態調整技術，結合了導通電流密度高與開關速度快的特點，可實現高速關斷和大電流處理能力，具有更加寬廣的安全工作區域和更高的產品穩定性
⦁ Green-MOS technology: High Voltage(550-900V)SJ
⦁ MOSFET for AC-DC Conversion Applicaions.
⦁ SFG-MOS technology: Mid-Voltage(80-100V) Low Qg MOSFET for Rectification and Motor Driver Applications
⦁ IGBT(IGBT on developement, coming soon).
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